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3082-8201(Oline)

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2025-09-24

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Vol 2 No 3 (2025): Published

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半导体材料的材料体系创新与多维度性能突破分析

王 少波

桂林理工大学南宁分校

张 凯天

桂林理工大学南宁分校

唐 琳

桂林理工大学南宁分校

刘 鹏

桂林理工大学南宁分校

陈 娇

桂林理工大学南宁分校


DOI: https://doi.org/10.59429/zhkj.v2i3.11231


Keywords: 半导体;可持续发展;高频应用


Abstract

半导体材料作为现代信息社会与高端制造产业的核心基石,其发展轨迹深刻映射了人类对微观物质世界的认 知深化与技术创新的迭代进程。本文基于材料科学、电气学与建筑智能热物理的交叉视角,系统梳理半导体材料从 元素半导体到第三代宽禁带化合物的演进逻辑,重点剖析二维原子晶体、量子点、氧化物异质结等新型材料体系的 创新路径,展望其在超大规模集成电路、量子信息处理、新能源转换等领域的前沿趋势。


References

[1] 王旭 . 半导体材料的应用现状及发展趋势,半导体材料 .

[2] Gao, H., et al. (2024). Epitaxial growth of wafer-scale MoS₂ monolayers with high optical quality. Nature Materials, 23(2), 167-173.

[3] Zhang, Y., et al. (2023). 1-nm-channel MoS₂ transistors with high on/off ratio. Science, 380(6644), 336-340.

[4] Yole Développement. Wide Bandgap Semiconductors for Power Electronics: 2023 Market Analysis. Yole Report, 2023.

[5] Intel Corporation. Silicon spin qubits: Progress towards large-scale quantum computing. IEEE Transactions on Electron Devices, 2024, 71(3), 412-419.



ISSN: 3082-8201
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